Semiconductor Quartz Flow Baffle

Ⅰ. Nā ʻano mea a me ka ʻili

● Material: High-purity fused silica (synthetic or natural quartz, pure ≥99.99%).

● Kū'ē Thermal: Hana paʻa i nā mahana mau a hiki i 1200 ° C.

● Hoʻopau i ka ʻili: ʻO nā ʻaoʻao i hoʻomaʻamaʻa pololei ʻia e pale ai i ka hoʻopili ʻana.

● Hoʻonui Thermal: ʻO ka helu haʻahaʻa o ka hoʻonui (5.5 × 10⁻⁷ / ° C) e hōʻoia i ka paʻa o ka dimensional.

● Palekana Kemika: Inert i nā kinoea corrosive e like me HCl, NH₃, a me SiH₄.

Hoʻomaʻamaʻa paʻa ʻia kēlā me kēia kahe kahe no ka maikaʻi o ka ʻili, ka pololei o ka dimensional, a me ka hoʻomalu ʻana i loko, e hōʻoia i ka maʻemaʻe a me ka hilinaʻi i kēlā me kēia pūʻulu hana.

Ⅱ. Nā Hana Nui i nā Kaʻina Semiconductor

Hoʻohana ʻia ka Quartz Flow Baffle ma ke ʻano he mana kahe nui a me nā mea hoʻoponopono wela i loko o nā keʻena hoʻoponopono semiconductor wela. ʻOi aku ka nui o kāna hana ma mua o ke kuhikuhi wale ʻana i nā kinoea—he hana multifunctional ia i ka hoʻopaʻa ʻana i ke kaʻina hana, hoʻonui i ka hoʻohana ʻana i nā mea, a me ka hōʻoia ʻana i ka like ʻana o ka wafer-to-wafer.

1. Hoʻokaʻawale ʻia ke kahe kinoea

Ma nā kaʻina hana e like me ka LPCVD, PECVD, a me ka epitaxy, he mea koʻikoʻi ka lawe ʻana i ke kinoea like ʻole no ka hoʻokō ʻana i ka ulu kiʻiʻoniʻoni lahilahi a me ka hāʻawi dopant. ʻO ka quartz flow baffle ka geometry i hoʻolālā maikaʻi ʻia - me kāna mau ala kahe ʻokiʻoki, ka pale ʻana i ka curvature, a me ka hoʻokaʻawale ʻana - e hōʻoia i ka hoʻopuehu ʻia ʻana o nā kinoea reactive ma luna o ka ʻili wafer. Ma ka mālama ʻana i ke ʻano hoʻoheheʻe laminar, hōʻoia ka baffle kahe i kēlā me kēia wafer i loko o kahi pūʻulu e ʻike i nā kūlana ʻike kinoea like, a laila e hoʻonui ai i ka paʻa a me ka paʻa ʻana o ka hāmeʻa.

2. Hoʻopaʻa ʻia ʻo Thermal Field Stabilization a me ke koena hoʻoili wela

I loko o nā kaʻina hana wela nui e like me ka thermal oxidation a i ʻole ka ulu ʻana o Si epitaxial, hiki i nā ʻano liʻiliʻi liʻiliʻi o ka hāʻawi ʻana i ka mahana ke hopena i nā hemahema kristal, dislocations, a i ʻole ke koʻikoʻi kiʻiʻoniʻoni.

Hoʻohana ka quartz flow baffle ma ke ʻano he mea hoʻoponopono wela:

● Hoʻomāmā i nā ʻanuʻu wela ma waena o ke kikowaena a me ka lihi o ka waʻa waʻa

● Hoʻemi i ka ʻike ʻole o ka wela i loko o ka umu

● Hoʻemi i nā haʻalulu wela i ka wā o ka piʻi ʻana o ka mahana a me nā pōʻai iho

3. Hoʻopau ʻino a me ke kaʻina hana maʻemaʻe

I ka hana semiconductor, ʻo ka hoʻomalu contamination ka mea nui. Hiki ke hoʻohaʻahaʻa loa i ka hoʻohua ʻana o nā mea hana i ka metala a i ʻole nā ​​​​particulate contamination. ʻO ka Quartz Flow Baffle, i hana ʻia mai ka ultra-high-purity synthetic fused silica (SiO₂ ≥ 99.99%), ʻaʻole hoʻokomo i nā ion metala a i ʻole koena kalapona i loko o ke keʻena hana. ʻO kona ʻili paheʻe, ʻaʻole porous e pale i ka hōʻiliʻili ʻana o nā hopena hopena a me ka hoʻoheheʻe ʻana. Mālama kēia i ka paʻa o ka lumi lumi maʻemaʻe no nā kaʻina hana koʻikoʻi e like me ka hoʻokumu ʻana o ka puka oxide, diffusion doping, a me CVD dielectric deposition.

ʻO Semixlab Quartz Flow Baffle ʻaʻole ia he ʻāpana passive 一 he mea hoʻoikaika koʻikoʻi o ka paʻa o ke kaʻina hana, ka like ʻana o ke kinoea, a me ka hoʻonui ʻana i nā hua. Ma o kāna hoʻolālā hoʻolālā holomua holoʻokoʻa, ke kaulike wela, a me ka hoʻokumu ʻana i nā mea hoʻomaʻemaʻe ultra-maʻemaʻe, e hōʻoia i ka loaʻa ʻana o kēlā me kēia wafer i kahi kaʻina hana i hoʻomalu pono ʻia-pono no ka hana ʻana i nā mea hana semiconductor.