graphite poha

Hoʻohana nui ʻia ka graphite porous i ka PVT (hoʻololi kino kino) silicon carbide (SiC) kaʻina ulu kristal hoʻokahi, ʻo ia ke kumu kumu o ka ʻōnaehana wela wela. Hana ʻia ka huahana me ka ultra-high purity isostatically pressed graphite, ka mea i hana i kahi ʻano like ʻole a me ka controllable porous structure ma o ka precision CNC machining a me ka ʻenehana pore control, e hōʻoiaʻiʻo ana i ka hana maikaʻi ma lalo o nā kūlana kaʻina koʻikoʻi (2200 ℃). ʻO kāna hoʻolālā kūʻokoʻa e hoʻomaikaʻi nui i ka like ʻana o ke kahua wela a hoʻopaʻa i ka maikaʻi o ka hoʻololi ʻana i ke kinoea, ʻo ia kahi hōʻoia nui no ka ulu ʻana o ka kristal SiC kiʻekiʻe.

ʻO nā hiʻohiʻona kumu a me nā pono hana:

Maʻemaʻe loa a me ka hapa haʻahaʻa haʻahaʻa

Hoʻohana ʻia ke kaʻina hoʻomaʻemaʻe wela kiʻekiʻe (3000 ℃ lapaʻau) no ka hoʻohaʻahaʻa ʻana i ka ʻike o nā mea haumia ʻole e like me ka oxygen a me ka nitrogen. E hoʻopau i nā kīnā ʻeleʻele i hoʻokomo ʻia i ka haumia (e like me nā microtubules, dislocations) e hōʻoia i ka paʻa ʻana o ka hana uila o nā kristal hoʻokahi SiC.

ʻO ke kūpaʻa wela kiʻekiʻe a me ka hoʻomalu kahua wela

I loko o ka argon / vacuum environment, hiki iā ia ke kū i ka 2200 ℃ hana mau no nā hola 1000, haʻahaʻa haʻahaʻa o ka hoʻonui ʻana i ka wela, a pale i ka haki ʻana o nā mea i hana ʻia e ke kaumaha wela.

Kākoʻo ka porosity i ka hoʻolālā gradient distribution, i hui pū ʻia me ka CFD simulation e hoʻonui i ka nui o ka pore (10-200μm), hoʻoponopono pololei i ka hāʻawi ʻana i ke kahua wela, hoʻemi i ka fluctuation gradient wela (ma loko o ± 3 ℃), a hoʻomaikaʻi i ka like ʻana o ka ulu kristal.

Nā hāʻina i hoʻopilikino ʻia

Hoʻololi Geometric: Kākoʻo i ka hana ʻano paʻakikī (e like me ka annular crucible, pale multi-layer), hoʻohālikelike i ke ʻano o ka umu ahi.

Lapaʻau ʻili: Hāʻawi i nā lawelawe polishing ultra-precision a i ʻole nā ​​​​lawelawe e hoʻomaikaʻi i ke kūpaʻa corrosion a me ke ola lawelawe.

Hōʻoia hoʻokō hana noi

Ma ke kaʻina hana crystallization PVT SiC, ma ke ʻano he crucible a me ka thermal field component:

E hoʻonui i ka nui o ka ulu ʻana o ka kristal e 15% -20% (hoʻohālikelike ʻia me ka graphite kuʻuna);

Ua hoʻonui ʻia ka hua wafer ma mua o 90% (4 iniha SiC hoʻokahi kristal);

Hoʻonui ʻia ka manawa mālama o nā mea hana i 6 mau mahina (ʻo 3 mau mahina maʻamau).

Hoʻoponopono Kūmole:

1. Nā inoa ʻē aʻe: PVT graphite crucible, silicon carbide ulu me ka porous graphite.

2. Noi: PVT ala (kino kinoea lawe kaʻa kaʻa) SiC hoʻokahi kristal ulu kumu wela māhele māhele.

3. Nā palena kumu: maʻemaʻe ≥99.9995%, porosity 15-30%, pale wela 2200 ℃ (kahi kinoea inert), conductivity thermal 100-150 W / m · K.

ʻO ka hui ʻana o ka umu ahi ulu PVT: Ma ke ʻano o ka sublimation mea SiC a me ka ulu ʻana o ke aniani, hāʻawi i kahi hoʻohele wela paʻa.

ʻO ka ʻāpana pale pale wela: hoʻemi maikaʻi ka hana porous i ke kaumaha wela a hoʻolōʻihi i ke ola lawelawe o nā mea hana.

ʻO ka pahu aniani hua: ikaika mechanical kiʻekiʻe e kākoʻo i ke aniani hua, e hōʻoia i ka ulu ʻana o ke aniani.

ʻO ka papa hoʻoheheʻe kinoea: hoʻomaikaʻi i ka maikaʻi o ka hoʻololi ʻana i ke kinoea, hoʻomaikaʻi i ka maikaʻi kristal hoʻokahi a me ka ulu ulu.

ʻO ka hana wela kiʻekiʻe loa: ʻaʻohe deformation palupalu ma 2200 ℃, kākoʻo ma mua o 1000 mau hola o ka hana paʻa mau.

Hoʻolālā kahua wela maʻamau: Hoʻohui ʻia me ka simulation CFD e hoʻonui i ka gradient pore, hoʻomaikaʻi i ka like ʻana o ke aniani a me ka hua.

ʻO ka lawelawe wikiwiki wikiwiki: hāʻawi i ka hoʻāʻo hoʻohālikelike hoʻohālikelike kaʻina a hāʻawi i ka hopena prototype i loko o 72 mau hola.