ʻŌmole Uhi CVD SiC

ʻO ka CVD SiC Coating Nozzle kahi ʻāpana hoʻouna kinoea koʻikoʻi i nā reactors epitaxial semiconductor. Ua hana kūikawā ʻia e kū i nā mahana kiʻekiʻe a me nā wahi ʻino kemika i loaʻa pinepine i ka wā o nā kaʻina hana ulu epitaxial.

Hoʻohana kēia Nozzle Uhi ʻia ʻo SiC i kahi substrate graphite isostatic kiʻekiʻe i hui pū ʻia me kahi uhi silicon carbide (SiC) dense chemical vapor deposition (CVD). Hāʻawi ka substrate graphite i ka machinability maikaʻi loa a me ke kūpaʻa wela, ʻoiai ʻo ka uhi SiC e hana i kahi papa pale maʻemaʻe kiʻekiʻe, inert chemically, e hōʻoiaʻiʻo ana i ka hana hilinaʻi lōʻihi i nā wahi hana semiconductor koi.

Hoʻohana nui ʻia ka CVD SiC Coating Nozzle i ka silicon epitaxy, silicon carbide epitaxy, gallium nitride MOCVD, a me nā ʻōnaehana hoʻokaʻawale holomua ʻē aʻe kahi e koʻikoʻi ai ka hoʻolaha kinoea pololei a me ka kaohi haumia no ka mālama ʻana i ke kūpaʻa o ke kaʻina hana a me ka hua wafer.

Nā Kūlana o nā Nozzles i nā Kaʻina Hana Epitaxial Semiconductor

I loko o nā reactors epitaxial, pono e hoʻouna ʻia nā kinoea hana me ka pololei loa i loko o ke keʻena hopena e hoʻokō ai i ka ulu like ʻana o ke kristal. He kuleana koʻikoʻi ko nā nozzles i ka hoʻolauna ʻana a me ke kuhikuhi ʻana i nā kinoea precursor i ka ʻili wafer.

ʻO nā kinoea maʻamau i hoʻokomo ʻia ma o nā nozzles:

● Silane (SiH₄)

● Trichlorosilane (TCS, SiHCl₃)

● Kinoea lawe hydrogen (H₂)

● ʻAmonia (NH₃)

● Nā mea hoʻomaka metala i loko o nā ʻōnaehana MOCVD

Ma ka hoʻomalu ʻana i ke kuhikuhi o ke kahe kinoea, ka wikiwiki, a me ka hoʻolaha ʻana, hōʻoia nā nozzles i nā kinoea hopena e hiki i ka ʻili wafer ma lalo o nā kūlana kahe laminar paʻa. Hoʻopilikia pololei kēia i nā palena koʻikoʻi:

● ʻO ke ʻano like o ka mānoanoa o ka papa epitaxial

● Kūlana like ʻole o ka doping

● Ka nui o nā hemahema ma ka wafer

● Ka hiki ke hana hou ʻia o ke kaʻina hana holoʻokoʻa

No laila, ua manaʻo ʻia nā nozzles he mau mea nui no ka hoʻokomo kinoea a me ka kaohi ʻana i ke kahe ʻana i loko o nā keʻena epitaxial.

Nā Pōmaikaʻi ma nā Noi Hoʻonui Epitaxial

● Kū'ē kū'ē i ka palaho

Hoʻohana pinepine nā kaʻina hana ulu epitaxial i nā kinoea reactive e like me ka hydrogen, nā hui i loaʻa ka chlorine, a me ka ammonia. Hōʻike nā uhi CVD SiC i ke kūpaʻa koʻikoʻi i kēia mau wahi corrosive, e pale ana i ka hōʻino ʻana o nā mea a mālama i ka hana paʻa ma luna o nā pōʻaiapuni hana lōʻihi.

● Hana Mahana Kiʻekiʻe

ʻO ka maʻamau, hana nā kaʻina hana ulu epitaxial i nā mahana ma mua o 1000°C a i 1500°C. Mālama nā uhi SiC i ka pono o ke kūkulu ʻana a me ke kūpaʻa kemika ma lalo o kēia mau kūlana koʻikoʻi, e hōʻoiaʻiʻo ana i ka hana mau a hilinaʻi hoʻi.

● Hana ʻĀpana Haʻahaʻa

He mea nui ka haumia o nā ʻāpana i ka hana ʻana o ka semiconductor. ʻO nā uhi SiC mānoanoa a maʻemaʻe hoʻi e hōʻemi i ka ʻino ʻana o ka ʻili a me ka spalling, e kōkua ana i ka mālama ʻana i nā wahi reactor maʻemaʻe loa a me ka pale ʻana i ka maikaʻi o ka wafer.

● Hoʻolōʻihi ʻia ke ola o nā lako

Ke hoʻohālikelike ʻia me nā ʻāpana graphite i uhi ʻole ʻia, hana nā uhi SiC ma ke ʻano he pale pale, e hoʻolōʻihi nui ana i ke ola lawelawe nozzle. Hoʻemi kēia i ka pinepine o ka mālama ʻana, hoʻohaʻahaʻa i nā kumukūʻai hoʻololi, a hoʻonui i ka manawa hana holoʻokoʻa.