Pyrolytic Graphite Crucible

ʻO ka Semixlab Pyrolytic Graphite (PG) Crucible no SiC Single Crystal Growth he ʻāpana koʻikoʻi i hoʻolālā ʻia no ka ulu ʻana o Physical Vapor Transport (PVT) o 4H- a me 6H-SiC boules i hoʻohana ʻia i nā uila mana o ka hanauna e hiki mai ana. Hana ʻia me ka hoʻohana ʻana i nā ʻenehana hoʻoheheʻe mahu, hāʻawi ka pyrolytic graphite i ka maʻemaʻe ultra-kiʻekiʻe, ʻoi aku ka like ʻana o ka wela, a me ka kūpaʻa ʻokoʻa i nā mahana ma mua o 2200°C. Hoʻolilo kēia mau hiʻohiʻona iā PG i mea koho no nā kapuahi sublimation SiC kiʻekiʻe, kahi e hoʻoholo pololei ai ka crystalline perfect, ke kūpaʻa wela, a me ka hoʻomalu contamination i ka hua wafer a me ka hana uila.

I loko o ke kaʻina hana SiC PVT, hoʻokumu ka pyrolytic graphite crucible i ke keʻena sublimation waena i loaʻa i ka pauka kumu SiC a wehewehe i nā gradients wela koʻikoʻi e pono ai no ka ulu ʻana o ke aniani. ʻO ka anisotropic thermal conductivity o PG — ʻoi aku ka kiʻekiʻe o ka mokulele a me ka haʻahaʻa haʻahaʻa ma waena o ka mānoanoa - hiki ke hoʻohālikelike pololei i ke kahua wela, e kākoʻo ana i ka hoʻomohala ʻana i nā kiʻina wela axial a me ka radial e hoʻemi i ka hoʻokumu ʻana o nā hemahema e like me BPDs, TSDs, micropipes, a me ka hoʻopaʻa ʻana i nā hewa. ʻO kona porosity haʻahaʻa haʻahaʻa a kokoke i ka hoʻoheheʻe ʻana o ka ʻāpana ʻeleʻele e hōʻemi nui i ka doping a me ka hoʻohaumia ʻole ʻana, e hōʻoia ana i ka paʻa n-type a me ka semi-insulating SiC crystal production ma waena o nā pōkole ulu lōʻihi e hoʻonui pinepine ʻia no kekahi mau lā.

ʻO ka inertness kemika o ka pyrolytic graphite he mea koʻikoʻi i ka mālama ʻana i kahi kaiapuni sublimation maʻemaʻe i loko o ka pōʻaiapuni PVT holoʻokoʻa. ʻAʻole e like me ka graphite maʻamau, ʻaʻole hoʻokuʻu ʻo PG i nā kinoea i hoʻokomo ʻia a i ʻole nā ​​​​koena haumia i ka wā lōʻihi o ka hoʻolaha ʻana i nā wela kiʻekiʻe loa a me nā kūlana vacuum. Kōkua kēia kūpaʻa i ka hoʻopaʻa ʻana i ka haumia e like me ka oxygen, nitrogen, a me nā mea hoʻoheheʻe metala, no laila ke kākoʻo nei i ka hana ʻana i nā mea kiʻekiʻe-resistivity no nā polokalamu RF a me nā substrates SiC kiʻekiʻe no nā MOSFET mana, Schottky diodes, a me nā modules high-voltage.

ʻO ke kaʻina hana ʻo Semixlab e hōʻoia i kēlā me kēia PG crucible e hāʻawi i ka like like, homogeneous CVD-deposited layering, a me nā ʻae kikoʻī kikoʻī pono no ka hoʻohālikelike ʻana i ka wela a me ka hilinaʻi o ka umu ahi lōʻihi. Hāʻawi nā kaʻina hana machining a me ka hoʻomaʻemaʻe ʻana i nā ʻili o loko maʻemaʻe, hoʻohaʻahaʻa ʻia i nā ʻāpana ʻāpana, a me nā loli haʻahaʻa haʻahaʻa haʻahaʻa haʻahaʻa mai ka pūʻulu a i ka pūʻulu. He mea koʻikoʻi kēia hilinaʻi no ka mālama ʻana i ka nui o ka ulu ʻana, nā gradients wela e ʻike ʻia, a me ka hoʻohaʻahaʻa ʻana o ka umu i nā laina hana kristal SiC kiʻekiʻe.

Ke hoʻonui nei ka ʻoihana semiconductor i kona hoʻomohala ʻana i nā ingots SiC-diameter nui, ke hoʻomau nei ke koi no lākou. Ma ka hoʻohui ʻana i ka hiki ke kiʻekiʻe kiʻekiʻe, ka anisotropy thermal i hana ʻia, a me ka maʻemaʻe ʻē aʻe, hiki i ka Semixlab ke hoʻokō i nā mea hana wafer e hoʻokō i ka maikaʻi kiʻekiʻe kiʻekiʻe, ka lōʻihi o ka umu ahi, a me ka hana hou ʻana o ke kaʻina hana - e kākoʻo ana i ka hoʻonui honua o EV, ikehu hou, a me nā ʻenehana hoʻololi mana.