Nā ʻĀpana Graphite Kahua Thermal

Hoʻokumu nā ʻāpana Graphite Field Thermal i ke ʻano hoʻokumu o ke kaiapuni wela i loko o nā reactors epitaxial, kahi e wehewehe pololei ai ke kūlike o ka mahana i ka maikaʻi o ke kristal, ka pololei o ka doping, a me ka nui o nā hemahema. Ma Si a me SiC epitaxy—kahi e hiki ai i nā mahana hana ke ʻoi aku ma mua o 1600°C—hoʻokumu kā mākou mau mea hoʻomehana graphite isostatic, nā susceptors, nā reflectors, a me nā pale insulation i kahi kahua thermal paʻa a symmetrical e pono ai no ka ulu like ʻana o ka ʻiliʻili.

Hana ʻia kēia mau ʻāpana me ka hoʻohana ʻana i nā papa graphite maʻemaʻe loa me ka haumia metala haʻahaʻa loa e hōʻoia i ka hana liʻiliʻi o nā ʻāpana a me ka wafer-edge maikaʻi loa a me ke kaulike waena-a-edge. I hui pū ʻia me nā uhi SiC holomua i hana ʻia no ke kūʻē ʻana i ka H₂, Cl₂, NH₃, a me nā precursors hydrocarbon, mālama nā ʻāpana graphite a Semixlab i ka pono o ke kūkulu ʻana a me ka pono o ka thermal ma o nā pōʻaiapuni wela lōʻihi, e hoʻolōʻihi nui ana i ka manawa ma waena o ka mālama ʻana i nā ʻōnaehana epitaxy ākea a me ke kū.

Ma waho aʻe o ka epitaxy, he kuleana koʻikoʻi ko nā ʻāpana graphite kahua wela i ka annealing wela kiʻekiʻe no nā mea hana bandgap ākea, ʻoiai ʻo SiC MOSFET. Pono kēia mau noi i ke kūpaʻa ma nā mahana e kokoke ana i 1700-1800°C ma lalo o nā lewa inert a vacuum paha. ʻO nā mea hoʻomehana graphite ʻenekinia a Semixlab, nā pā susceptor, a me nā cylinders insulation e hōʻoia i ka hōʻike wela like i ka wafer i ka wā o ka hoʻāla ʻana o ka dopant, ka hoʻokumu ʻana ohmic contact, a me ka hoʻoponopono ʻana i nā hemahema. Hoʻēmi kā mākou mau ʻāpana i nā gradients thermal e hiki ke hoʻoulu i ke kakaka wafer, nā laina paheʻe, a i ʻole ke kaumaha crystalline—ʻo nā mea āpau e hōʻino i ka hana a me ka hua o ka mea hana. Hoʻonui ka kahua thermal i hoʻomaikaʻi ʻia e nā hoʻonā Semixlab i ka pono o ka hoʻāla ʻana o ka dopant a hoʻemi i ka haʻalulu thermal, e hiki ai ke hana hou ʻia a hoʻomalu paʻa ʻia nā kaʻina hana wela kiʻekiʻe.

Kahua wela umu aniani hoʻokahi Czochralski

I loko o nā ʻōnaehana RTP a me RTA, kahi e pono ai nā wafers semiconductor e hele i nā pōʻaiapuni hoʻomehana a me ka hoʻoluʻu wikiwiki ma ke kauoha o nā haneli kekelē i kekona, he mea koʻikoʻi like nā ʻāpana kahua wela kikoʻī. ʻOiai ʻo RTP ka mea nui e hoʻohana i ka hoʻomehana kukui, ʻo ke ʻano hoʻolālā wela kūloko—i hana pinepine ʻia me nā mea hoʻomālamalama graphite pyrolytic, nā kākoʻo graphite haʻahaʻa, a me nā ʻāpana pale i hana ʻia—e wehewehe ana pehea e hiki ai ka ikehu radiative i ka wafer.

Ua hoʻolālā ʻia nā ʻāpana graphite o Semixlab e hoʻopaʻa i ka hoʻolaha wela radiative, kāohi i nā hopena edge-hotspot, a kākoʻo i nā hoʻololi thermal wikiwiki loa me ka ʻole o ka warping a i ʻole outgassing. Hōʻoia kēia i ke ʻano like o ke kaʻina hana no nā ʻanuʻu koʻikoʻi e like me ka hoʻoulu ʻana o ka dopant, ka hoʻokumu ʻana o silicide, ka annealing o nā ultra-shallow junctions, ka optimization gate stack, a me nā hana ʻenekinia strain i nā node CMOS holomua.

Ma waena o kēia mau kaʻina hana wela kiʻekiʻe a pau, ua hana ʻia ka Semixlab's Each Thermal Field Graphite Part e hoʻomaikaʻi i ke kahe wela, e hōʻemi i nā gradients mahana, a hana pono ma lalo o ka haʻalulu thermal pinepine, nā kemika corrosive, a me nā wahi vacuum maʻemaʻe loa. Hōʻoia kā mākou ʻōnaehana maikaʻi i hoʻohui ʻia i ka pololei o ka dimensional, ka maʻemaʻe o ka ʻili, a me ke kūlike o ka hoʻopili ʻana o ka uhi e hoʻokō a ʻoi aku paha i nā koi o nā mea hana lako semiconductor alakaʻi. Manaʻolana nui ʻo Semixlab e lilo i hoa hana lōʻihi ma Kina.