EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
ʻO SiC crystal ulu waiwai maka
| Place o Kinohi: | China |
| Brand Name: | Semixlab |
| Model Number: | CVD SiC |
| palapala hoʻomaikaʻi: | ISO 9001 |
| ʻO ke kauʻanaʻana o ka mea nui: | He mau kgs (kākoʻo i ke kūʻai ʻana i nā ʻāpana liʻiliʻi o ka pae R&D) |
| Price: | Hoʻopilikino i nā huaʻōlelo i nā kikoʻī e kākoʻo i nā kauoha maʻemaʻe kiʻekiʻe (≥99.9999%) |
| Hōʻikeʻikepili: | ʻOmole kiʻekiʻe inert kinoea i hoʻopaʻa ʻia, ʻeke ʻeke alumini alumini a me ka ʻeke hoʻoheheʻe anti-oxidation |
| Delivery Time: | 7-15 lā (maʻamau) / 20-30 lā (maʻamau maʻamau) |
| Uku LIKE: | T/T (50% ma mua, 50% ma mua o ka lawe ʻana) |
| Ka lako kūpono: | ʻO ka mana hana o kēlā me kēia mahina 500kg, kākoʻo i nā kauoha maʻemaʻe kiʻekiʻe (≥99.9999%) |
Description
ʻO SiC crystal growth raw material ka mea hou loa i kūkulu ʻia e Semixlab. ʻO ka mea nui ka pahu CVD SiC. ʻO ka maikaʻi o ka SiC hoʻokahi kristal i ulu ʻia e kēia mea maka he maikaʻi loa a loaʻa iā ia ka pae alakaʻi i ka ʻoihana.
ʻālohilohi ke kumu huahana
Kaʻina hoʻomākaukau hoʻokahuli
Ke hoʻohana nei i ka ʻenehana CVD fluidbed patent kūʻokoʻa (Patent No. : ZL2024XXXXXXX), methyl trichlorosilane (MTS) ma ke ʻano he precursor, e hoʻokō:
Maʻemaʻe > 99.9995% (Ka helu helu kumu o GDMS)
ʻO ka maʻiʻo Nitrogen ≤0.09ppm (ʻaʻohe hoʻomaʻemaʻe hou)
4-10mm ka nui o ka ʻāpana (ke ʻano hoʻolaha kuʻuna <2.5mm)
ʻO ka pōmaikaʻi ulu kristal
| Index | ʻano hoʻolaha ponoʻī maʻamau SiC pauka | ʻO Semixlab SiC crystal ulu mea waiwai |
| Ua ʻokoʻa ka nui o nā microtubules | 103~ 104cm-2 | <300 knm-2 |
| Ka nui o ka hoʻohana ʻana i nā mea maka | 30% -40% | > 50% |
Ka palekana a me ka hoʻokele waiwai
Hoʻokuʻu ʻia ka pollution ʻaʻohe: hiki ke hoʻokaʻawale ʻia ka waika hydrochloric i ka paʻakai
Hoʻemi ʻia ke kumu kūʻai o 30%: ʻo ka methyltrichlorosilane ka waiwai maka ka mea nui o Kina
Hoʻoulu ʻia nā kristal SiC me ka hoʻohana ʻana i nā mea ulu ulu kristal SiC
Hoʻoponopono Kūmole:
1. Nā inoa ʻē aʻe: CVD SiC block; ʻāpana SiC.
2. Noi: Raw material for SiC single crystal growth.
3. Nā ʻāpana kumu: Maʻemaʻe > 99.9995% (GDMS huina elemental analysis), Nitrogen maʻiʻo ≤0.09ppm (ʻaʻohe hoʻomaʻemaʻe hou aku), ʻO ka nui o ka ʻāpana 4-10mm (ʻano hoʻolaha kuʻuna maʻamau <2.5mm).
hoakaka
noi
Mea maka no ka ulu ʻana o ka kristal hoʻokahi SiC.
ʻO ka pono kūpono
1. He holomua ma ka maemae
ʻO ka maʻemaʻe ≥99.9995% (GDMS hōʻuluʻulu ʻeleʻele holoʻokoʻa). Loaʻa ʻia ka maʻiʻo Nitrogen ≤0.09ppm e ka waiho ʻana o ka mahu (ʻaʻohe hoʻomaʻemaʻe lua). ʻOi loa kūpono no ka semi-insulating SiC hoʻokahi kristal ulu pono.
2. ʻO ka nui o ka ʻāpana a me ka hoʻopaʻa ʻana
ʻO ka nui o nā ʻāpana nui (4-10mm), hoʻomaikaʻi maikaʻi i ka hiki ke hoʻouka crucpot (ʻoi aku ma mua o 1.5kg no ka leo like), e hoʻemi i nā hemahema kalapona i ka wā e ulu ai ke aniani.
3. He mea koʻikoʻi ke kumukūʻai
E ho'ēmi i nā kumukūʻai maka ma 30%.
Ke hoʻohana nei i ka methyltrichlorosilane (MTS) ma ke ʻano he precursor, ʻo ke kumukūʻai kūʻai maka he 1/3 wale nō o ka hoʻolālā silica fume + graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe. Ka nui o ka hoʻohana ʻana i nā mea maʻa > 50% (ka hana kuʻuna wale nō 30%-40%).
4. Ke kaʻina hana hoʻopaʻa ʻia ka hoʻopaʻa ʻana i ke kaiapuni
Hoʻokuʻu pollution ʻaʻohe.
ʻO ka waika Hydrochloric, ka hopena o ka hana, hoʻopuka i nā paʻakai ʻinoʻole ma o ka hopena neutralization, pale loa i nā pilikia mālama ʻōpala ʻekolu o nā kaʻina hana kuʻuna (ʻoi aku ka nui o nā kumukūʻai hoʻomaʻamaʻa ʻana i nā kinoea ma mua o 15%).
5. Lele maikaʻi Crystal
ʻO ka nui o nā microtubules he < 300 cm -2.
ʻO ka lākiō atom Si/C o nā mea maka kokoke i ka 1: 1 (ka hoʻokaʻawale ʻana o ke ʻano kuʻuna > 5%), e hōʻemi ana i nā hemahema hoʻokaʻawale silika i ka wā o ka ulu aniani. ʻO ka hua Ingot o 85% -92% (65% -75% o nā huahana hoʻokūkū), e hōʻemi ana i ka pau ʻana o ka ʻoki aniani hoʻokahi o nā mea kūʻai aku.
